一、毫米波小型化T/R组件（论文文献综述）
吴阳阳[1]（2021）在《可重构射频微系统关键技术研究》文中进行了进一步梳理在现代电子战、信息战、多场景无线通信和全球卫星定位系统中,T/R组件发挥着关键作用。T/R组件是多波束相控阵雷达的关键部分,在多波束相控阵中具有数目繁多的T/R组件。因此研究T/R组件小型化和高集成度,对于减小多波束相控阵雷达的体积具有重要的意义。相控阵雷达中需要运用许多开关矩阵进行信号通断和频率选择,因此研究开关矩阵小型化,对于减小相控阵雷达的体积具有重要的意义。因此本文针对射频微系统关键部件进行研究。本文对相控阵雷达中产生多波束的工作原理进行了研究。在理论研究的基础上,本文设计了一种基于高温共烧陶瓷（HTCC）的2-18GHz 4×4开关矩阵。开关矩阵射频基板由33层HTCC基板构成,尺寸仅为33mm×35mm×3.15mm。采用4个完全独立的射频信号作为输入信号,具有4个输出通道。其中每一个输出通道都可以任意选通4路输入射频信号的其中一路信号。可以通过4个4×4开关矩阵重构成一个8×8开关矩阵。针对开关矩阵设计了带有SSMP接头的输入/输出端过渡、开关芯片之间互连过渡、16路带状线水平互连结构过渡、16路子通道垂直互连结构过渡。采用Arduino单片机同时进行24路开关信号控制,极大减少测试时间。本文还设计了一种基于扇出（fanout）封装的21-23GHz T/R组件。2×2 T/R组件具有移相、衰减、增益功能,整体尺寸仅为5.68mm×6.4mm×0.22mm。可以采用16个2×2 T/R组件重构成一个8×8 T/R组件。针对T/R组件设计了基于扇出工艺的球栅阵列（BGA）板级互连过渡和芯片内部互连结构过渡。采用Arduino单片机作为核心控制单元,对T/R组件进行移相和衰减控制。开关矩阵测试结果表明,在2-18GHz工作频段内,2-10GHz频率部分,S11和S22小于-20dB;在10-18GHz频段内,S11和S22小于-10dB,插入损耗小于3.7dB。开关矩阵的每一条子通道之间的隔离度小于-50dB。幅相T/R组件发射测试结果表明,衰减误差为小于3dB,移相误差小于15°,增益误差小于1dB。幅相T/R组件接收状态表明,衰减误差为小于5dB,移相误差小于15°,增益误差小于1dB。
罗磊[2]（2021）在《Ku波段硅基相控阵收发组件关键技术研究与芯片设计》文中认为随着微波毫米波集成电路技术的进步,有源相控阵雷达技术也在不断的发展。T/R（Transmit/Receive）组件作为相控阵雷达中的关键部件,其性能直接影响到相控阵雷达的整体性能。为了适应相控阵雷达系统多功能、高集成、高性能、低成本的发展需求,CMOS和SiGe BiCMOS等硅基半导体工艺已被广泛应用于T/R组件电路设计中。因此,采用硅基工艺对T/R组件中的电路进行研究和设计具有重要的现实意义和应用价值。本文致力于Ku波段硅基相控阵收发组件的关键技术研究与芯片设计。基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,本文完成了 6-18 GHz宽带无源巴伦、两款12-18 GHz单刀双掷开关、15-17 GHz低噪声放大器、14-16 GHz单级功率放大器、14-18 GHz两级功率放大器、12-17 GHz 6位数控步进衰减器、10-18 GHz 6位数控有源移相器、6-18 GHz 6位数控有源移相器和13-15 GHz硅基幅相控制多功能系统芯片的流片验证。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种适用于微波、毫米波电路设计的路场混合仿真方法。在对无源巴伦研究分析的基础上,采用开路短截线补偿技术,设计了一款工作在6-18 GHz频率范围内,幅度平衡度和相位平衡度优良的宽带无源巴伦芯片,为后续章节有源移相器的设计提供所需的巴伦。测试结果表明:在6-18 GHz频率范围内,该宽带无源巴伦幅度不平衡度小于1 dB,相位不平衡度小于2.2°。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,采用深N阱NMOS射频nfettwrf晶体管和dgnfettwrf晶体管,使用串并联电路结构并结合衬底浮接技术和LC谐振技术,设计了两款工作在12-18 GHz频率范围内的单刀双掷开关芯片。测试结果表明:1.小线性度串并联单刀双掷开关插入损耗小于1.97dB,开关隔离度大于-29.5dB,开关线性度大于11.98dBm;2.线性度可调串并联单刀双掷开关损耗小于2dB,开关隔离度大于-37.5dB,开关线性度最高可达26.8 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,使用SiGe HBT晶体管,设计了一款工作频段位于15-17 GHz,带有片内温度补偿电路和ESD保护电路的低噪声放大器芯片。测试结果表明:在15-17 GHz频段范围内,增益S21为15.1～13.6 dB,噪声系数为3.4～3.8 dB,输入端口S11小于-9.1 dB,输出端口S22小于-10.4 dB,输入线性度IP-1dB大于-9.8 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,使用SiGe HBT晶体管,设计了两款工作频段位于Ku波段的功率放大器芯片。测试结果表明:1.单级功率放大器的工作频段位于14-16 GHz,增益 S21 为 9.3～7.3 dB,输入端口 S11 为-8.4～-12.4 dB,输出端口 S22 为-5～-6.2dB,输出线性度OP-1dB最大可达17.83dBm,最大功率附加效率PAE可达17.9%;2.两级功率放大器的工作频段位于14-18 GHz,增益S21为22.4～26.9 dB,输入端口S11为-6.5～-20.7 dB,输出端口-3.3～-7dB,输出线性度OP-1dB最大可达21.43dBm,最大功率附加效率PAE可达18%;本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,对数控衰减器中常用的衰减单元电路进行了相应的分析和研究,在研究的基础上提出了一种新的电容补偿方法,设计了一款工作频段位于12-17 GHz的6位数控衰减器芯片。测试结果表明:在12-17 GHz频率范围内,衰减器输入端口 S11<-13 dB,输出端口 S22<-14 dB,插入损耗为6.99～9.33 dB,最大衰减量为31.8～30.3 dB,衰减RMS幅度误差值为0.58～0.36 dB,衰减RMS相位误差值为2.06°～3.46°,输入线性度 IP-1dB 为 13.6～16.2 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,使用宽带无源巴伦,结合两级RC多相滤波器和正交全通滤波器电路结构,采用矢量调制的方法设计了两款6位数控有源移相器芯片。同时,对有源移相器电路中所要使用到的电路模块进行了详细的分析和介绍。测试结果表明:1.10-18 GHz 6位数控有源移相器输入端口 S11<-8.9 dB,输出端口 S22<-11.5 dB,增益幅度S21为-10.1～-12.8 dB,移相RMS幅度误差小于1.1 dB,移相RMS相位误差为1.5°～3.7°,在0°移相状态（参考态）下,输入线性度IP-1dB为9.4～11.2 dBm;2.6-18 GHz 6位数控有源移相器输入端口S11<-9.2 dB,输出端口 S22<-10.4 dB,增益幅度S21为S21为-1.85～0.95 dB,移相RMS幅度误差小于1.04 dB,移相RMS相位误差小于4.36°,在0°移相状态（参考态）下,输入线性度IP-1dB为5.4～8 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,结合所研究的各个子模块电路,设计了一款工作频段位于13-15 GHz的硅基幅相控制多功能系统芯片。测试结果表明:在13.6～15.5 GHz频率范围内,接收链路增益大于7 dB,噪声系数值为10.2～17.8dB。在13～15 GHz频率范围内,接收链路移相RMS幅度误差为1.07～1.46 dB,移相RMS相位误差为3°～4.51°,最大衰减范围为29.5～28.2 dB,衰减RMS幅度误差为0.81～1.42 dB,衰减RMS相位误差为3.47°～4.8°,在14 GHz频率处的输入1dB压缩点为-15.4 dBm;在13.2～15.1GHz频率范围内,发射链路增益大于5 dB。在13～15 GHz频率范围内,发射链路移相RMS幅度误差为0.33～2.07 dB,移相RMS相位误差为3.4°～4.89°,最大衰减范围为29.2～28 dB,衰减RMS幅度误差为1～1.67 dB,衰减RMS相位误差为3.38°～6.46°,在14 GHz频率处的输入1dB压缩点为4.6 dBm,饱和输出功率为13 dBm。初步实现了相应的衰减移相功能,并为后续的设计改进提供了坚实基础。
効婧涵[3]（2020）在《毫米波多波束T/R组件关键技术研究》文中研究说明多波束雷达具有优越的探测性能、数据率、抗干扰能力和生存能力,多波束技术在现代通信技术、电子战、信息战和无线电导航等领域都发挥着巨大的作用。随着一体化电子的不断发展,高集成度、小型化成为了军用电子领域的重要发展方向。T/R组件作为相控阵雷达系统的重要组成部分,在雷达系统中数目庞大,实现T/R组件的小型化对于雷达系统整体的小型化意义重大。本文在介绍多波束相控阵雷达的应用背景、T/R组件设计原理的基础上,结合国内外先进的封装技术,采用高度集成的SiP三维封装形式,设计了一款针对8通道形成8个同时独立可控接收波束功能的LTCC毫米波多波束小型化接收组件。64路子通道相位、幅度均独立可调,接收组件尺寸为19mm?43mm。采用四通道多功能芯片、八路功分器芯片、二路功分器芯片、波控芯片,组件模块由2块LTCC基板组成,LTCC基板A为22层,LTCC基板B为43层,通过毛纽扣进行板级互连。为了保证模块的电磁性能,本文对模块中64个子通道的所有电磁传输结构进行了设计和验证。针对LTCC基板A设计了模块A信号输入端过渡、多功能芯片馈电端过渡以及模块A信号输出端过渡。针对LTCC基板B中的64路子通道到八路合成芯片的输入过渡,将每路子通道信号分为4个阶段,分类分段进行仿真设计。在保证子通道电磁性能的同时,为确保子通道的相位一致性,也对64路子通道的相位特性进行和计算和仿真。同时还设计了八路合成芯片的输出过渡,并对相邻子通道的隔离性能进行了验证。本文也针对常见的三维垂直互连和板级互连结构进行分析设计。此外,针对组件的实际应用,设计了替代组件中功分器芯片的二路、八路小型化功分器。两款小型化功分器的性能均符合组件的使用要求。对LTCC基板进行了测试,在工作频率范围内,LTCC基板B子通道的S11小于-10dB,低频部分小于-15dB,单通道损耗约为5dB,隔离度在30dB左右;LTCC基板A单通道S11小于-15dB,单通道传输损耗约为2dB,无源部分满足系统需求。
张皓[4]（2020）在《多通道T/R组件关键技术研究》文中指出当代AESA（有源相控阵雷达）的核心模块是T/R组件,AESA的定向精准度、侦察本领、收发波数旁瓣抑制能力以及控制距离等作战指标将直接受到T/R模块的性能指标影响。而T/R模块的成本花费、模块大小以及能源消耗在星载、舰载等军事雷达系统中控制极其严格。为了进一步提高雷达的生存作战能力,研究和设计多通道收发模块集成化、轻量化、小型化的T/R组件具有重要的现实意义和工程价值。本课题基于多层复合媒质基板工艺设计了一款Ku波段24通道T/R组件,组件每个通道都有收发两条链路。所设计的24通道T/R组件在天线系统中主要实现对收、发射频信号的放大、射频信号的分配/合成、相位控制、幅度控制以及射频功率管理（调节占空比）等功能。本文依据课题技术指标,基于微波传输线理论,同时围绕组件小型化、电磁兼容、加工工艺等技术难点对课题进行方案设计,通过对版图合理布局、放大器脉冲调制设计、组件叠层优化设计以及无源结构优化仿真,将技术难点细分并逐渐的加以解决,最终对所设计组件进行装配调试。基于Wilkinson功分器原理,本课题优化设计了一款24通道微带线功分/合成网络。在Ku工作频带内,功分/合成网络的各功分端口间的隔离度≥27dB,各端口回波损耗均≥22dB;基于微波传输线理论,本课题对组件叠层设计中需要的垂直过渡结构进行分析与优化仿真,垂直过渡结构各端口的回波损耗≥25dB,具有良好的传输性能;基于热设计的理论基础及遵循原则,通过Flotherm热仿真软件对组件的散热性能进行分析,验证了组件可靠的散热性能。在Ku工作频率范围内,本课题设计的T/R组件的24路收发通道驻波均≤1.35;24通道同时工作时接收增益≥17.3dB（≥3.5dB@单通道工作）,单通道接收噪声系数≤4.35 dB,不同移相状态增益变化均≤1dB;单通道发射功率≥22.9dBm,带内杂散抑制≥70dBc,功率波形脉冲顶降≤0.2 dB,上升下降沿脉冲均≤20ns,24通道T/R模块的尺寸为231mm×40mm×8.5mm。该组件具有通道数多,集成度高,体积小的特点。
张诚梓[5]（2020）在《X波段天线微系统关键技术研究》文中提出有源相控阵雷达机动性强,输出功率大,作用距离远,抗干扰能力强,分辨率高,功能多样并且可靠性高,在机载预警,星载观测,弹载防御,通讯,导航,气象预测等各个军事和民用领域得到广泛应用。传统的有源相控阵系统大多采用基于MCM技术的砖块式和瓦片式结构,经过多年发展,其电性能和基础技术已经基本成熟,然而为了适应各类平台愈发苛刻的需求,后续轻薄化,高集成,可重构,高性能,低成本将是主要发展目标,而实现这些目标必须采用高集成一体化设计技术。本文在介绍有源相控阵研究背景和关键技术理论的基础上,主要针对有源相控阵的高集成度、小型化、轻薄化这几个难点,对天线设计、LTCC/HTCC基板三维电磁场仿真、电磁兼容、高密度互连、封装设计、热管理、T/R组件等方面进行研究后,提供了多种有源相控阵子阵级设计方案。主要研制了X波段单通道天线微系统和X波段四通道天线微系统,单通道天线微系统和四通道天线微系统均设计了两个版本,第一版为天线和耦合器合并加工,T/R组件单独加工,第二版为全部一体化加工。具体工作如下:1、第一版X波段单通道天线微系统。LTCC贴片天线单元设计面积为24.5mm×14.3mm,占用29层Ferro A6M介质,仿真结果表明,8-12GHz频带内VSWR<2.8,交叉极化电平≤-25dB,相对带宽为40%,实验测得天线单元VSWR<3,增益约6dB,方向图没有明显畸变。LTCC带状线耦合器占用4层Ferro A6M介质,仿真得到耦合度为35±2dB。单通道HTCC T/R组件设计面积为9.1mm×9.1mm,占用11层ALN介质,实验测得,8-12GHz频带内最大接收增益为25.8dB,接收噪声系数为3.54.9dB,发射输出功率为29.6dBm。2、第二版X波段单通道天线微系统。它的设计面积跟单通道LTCC贴片天线一致,天线、耦合器和T/R组件三部分总共占用37层Ferro A6M介质。3、第一版X波段四通道天线微系统。2×2 LTCC贴片天线阵设计面积为36.4mm×28.6mm,占用35层Ferro A6M介质,仿真结果表明,8-12GHz频带内有源VSWR<3,交叉极化电平≤-25dB,相对带宽为40%,实验测得2×2天线阵VSWR<3,增益约10dB,方向图没有明显畸变。四通道HTCC T/R组件设计面积为18mm×18mm,占用17层ALN介质。4、第二版X波段四通道天线微系统。它的设计面积跟2×2 LTCC贴片天线阵一致,天线、耦合器和T/R组件三部分总共占用43层Ferro A6M介质。5、第三版四通道HTCC T/R组件采用在ALN基板6面均放置芯片的形式,设计面积为12mm×12mm,占用45层ALN介质,其中25层介质进行了大面积挖腔,从而可以减轻T/R组件的重量。
魏学[6]（2020）在《W波段T/R模块低插损垂直互连结构研究与设计》文中认为作为毫米波雷达系统的关键组成部分,收发（T/R）模块的性能优劣很大程度上决定着雷达性能的优劣,目前应用于雷达系统的T/R模块大多是采用平面集成方式的实现。集成电路和封装技术的发展使得T/R模块电路朝着小型化、低成本、高集成度方向改进,采用多层电路设计可有效实现模块电路的小型化。本文研究的垂直互连结构是实现多层电路层间互连的重点。在毫米波频段中的W波段多层电路中,信号的传输同低频段电路一样,主要是采用平面传输线。但是毫米波多层电路中不同层间平面传输线的垂直互连存在更为严重的阻抗不连续性问题以及电磁泄露问题,因此提出了采用平面传输线-类同轴-平面传输线实现层间垂直互连的结构设计方案。近年来基片集成波导（SIW）被广泛应用在电路设计中,根据调研发现在多层电路中使用SIW无法避免会遇到与其他传输线的过渡转换问题或不同层间的垂直互连问题,然而已有的不同层间的SIW垂直互连结构研究成果较少。在高频段电路中,SIW与平面传输线相比能更好的抑制电磁泄露,因此本文提出了采用直接开缝和加通孔两种耦合方式的SIW-SIW垂直互连结构设计方案。根据提出的垂直互连结构设计方案,本文开展的主要工作内容如下:1、平面传输线的垂直互连结构设计。在HFSS中建立了微带线-微带线垂直互连结构的电路模型,并对模型中的影响因素进行了分析,根据分析结果分别完成了在两层、四层、六层电路板中微带线-微带线垂直互连结构的设计。建立了带状线-带状线垂直互连结构的电路模型,完成了六层电路板中的带状线-带状线垂直互连结构的设计。对采用平面传输线互连方案设计的微带线-微带线、带状线-带状线垂直互连结构进行了性能参数仿真,结果表明两种垂直互连结构均能够在W波段具备良好的传输性能,插入损耗在0.8d B以内,且在不同电路板层中分别达到了8-22GHz的工作带宽,从而证明了平面传输线垂直互连结构方案在W波段不同板层电路中的可行性。2、SIW-SIW垂直互连结构的设计及验证。通过SIW与矩形波导等效理论计算出了在W波段能够导通的平面SIW结构宽度,并建立了结构模型进行验证。分别建立了直接开缝和加通孔两种耦合方式的SIW-SIW垂直互连结构模型并分别对影响因素开展了分析,根据分析结果分别完成了四层电路板的直接开缝耦合和四层、六层电路板的加通孔耦合SIW-SIW垂直互连结构的设计。通过性能仿真,设计的SIW-SIW垂直互连结构均能够达到0.4d B以内的插入损耗,且具备了10GHz以上的工作带宽,证明了两种SIW-SIW垂直互连结构方案的可行性。3、垂直互连测试件设计与仿真分析。制定了垂直互连结构测试件的设计方案,完成了方案中波导微带探针结构和微带-SIW过渡结构的设计,两个结构的插入损耗均在0.5d B以内。设计了微带线-微带线垂直互连测试件结构,其插入损耗在1d B以内;设计了SIW-SIW垂直互连测试件结构,其插入损耗在1.5d B以内,并制作了对应的测试件版图。对比分析了平面SIW结构实物插损测试与仿真结果之间的差异度及原因。本文对垂直互连结构的研究,能够为W波段的多层电路设计提供一定指导,其中SIW-SIW垂直互连结构的研究为多层电路板中垂直互连结构的设计提供了一种新的思路,对SIW在多层电路设计中的应用具有重要的研究意义。
盛浩轩[7]（2020）在《基于W波段SOC射频芯片的T/R组件系统设计》文中指出毫米波防撞雷达是中短距离探测器的核心部分,广泛的应用于轨道交通、汽车雷达、飞行器导航等众多领域中,而T/R组件为毫米波雷达的核心模块。在早期的毫米波防撞雷达研究中,系统的系统度较差,成本高,体积庞大,工作频段多为24GHz和35GHz。进入21世纪后,W波段77GHz毫米波雷达得到了快速发展,其工作频段高,带宽较大,益于集成,非常有利于小型化的雷达前端T/R组件的系统设计。但是,由于W波段的频率较高、波长短、损耗大,使其雷达前端T/R组件的系统设计成为了研究难点。本文针对77GHz防撞雷达T/R组件进行了详细的设计研究,采用2发4收射频集成芯片进行了多通道、小型化的系统封装设计,解决了当前W波段防撞雷达的高集成度、低成本设计难题。本文第一章概述了国内外针对W波段T/R模块和芯片的发展现状,总结本文的主要内容和所研究设计的射频过渡结构;第二章简要介绍了T/R组件的组成结构和收发信道通信原理,而后阐述了T/R组件的各项指标含义;第三章针对本次课题进行了详细的整体方案设计,包括课题指标、T/R模块结构设计、通信链路、方案预研论证和抗电磁干扰的举措方法,重点提出对2发4收集成射频SOC芯片进行集成封装设计,使整体T/R组件小型化、低成本,并且节省大量的仿真设计时间;随后第四章根据制定的总体设计方案对射频互联电路结构进行了详细设计,针对波导微带探针过渡仿真采用了细针型探针进行电磁耦合,并将短路面集成在PCB电路板之中,仿真结果通带频率为72.3GHz-82.5GHz,插入损耗为0.2d B;在垂直过渡结构设计中使用GCPW-类同轴-GCPW的小型化传输过渡方法,仿真结果表明该结构具有100GHz以下的全通带特性,S11全部位于-16d B以下,且在56GHz以下达到了理想的匹配效果,在40GHz处的插入损耗为0.42d B,该结果表明在小型化、超宽带的垂直过渡结构设计中该结构具有非常广阔的应用前景;而BGA至微带传输线的研究中,引入了匹配电路,抵消焊球的电容特性,在72GHz-106GHz频带内S11小于-15d B,并且在指标要求的频带内小于-20d B,插入损耗为0.4d B;最后在第五章中利用ADS通信仿真软件进行了本次课题的收发通道仿真测试研究,将所仿真设计的无源过渡仿真结果导出至ADS中进行整体通信链路测试,仿真结果表明接收通道在75GHz-80GHz内S11基本在-20d B以下,噪声系数为11.324d B,增益为57.602d B,基带输出信号中几乎没有杂散信号,而发射通道在75GHz-80GHz内的S11全部位于-18d B以下,增益为24.602d B。本文同时对波导探针微带过渡结构和垂直过渡结构进行了测试件设计,将波导微带探针结构做了背靠背模型仿真,并设计其PCB电路板和金属波导结构件,对垂直过渡结构的测试电路进行了PCB电路板绘制。虽然还没有因为突发疫情没有环境对T/R组件进行整体测试,但是本文的设计方案和设计电路结构依然具有实用价值,从仿真结果表明本次课题的设计达到了指标要求,对未来毫米波T/R组件和多层PCB射频互联过渡结构的设计具有借鉴意义。
李颖[8]（2020）在《Ku波段集成相控阵T/R组件研究》文中研究说明T/R组件在相控阵雷达中占据重要地位,决定了相控阵雷达中多种功能的实现和各项指标。本文从T/R组件的关键技术着手,在混合微波多层板技术和多芯片组装技术（MCM）的基础上,利用微波单片集成电路（MMIC）进行电路设计,完成Ku波段16通路小型化相控阵T/R组件的设计。主要研究内容如下:首先,本文对应用于小型化相控阵T/R组件的国内外发展动态展开调研,并且介绍了传输线理论、多层板技术、工艺实现的方式,同时介绍了常用相控阵T/R组件的传统结构,提出了系统的指标要求。然后根据指标要求对系统进行方案设计,主要包括公共支路、发射支路、接收支路的详细设计,同时用Advanced Design System对收发两个通道进行链路仿真。其次,本文对Ku波段十六联装小型化相控阵T/R组件所涉及的有源芯片进行芯片选型,接着对无源电路进行设计,主要包括多层板的选材和射频微波叠层结构的设计、多层板中的垂直结构和波导-微带过渡结构的仿真设计、带状线功分器和微带功分器的优化设计。其中波导-微带过渡结构的驻波性能优于1.1。微带功分器采用多个两路功分器级联的方式,实现十六等分微带功分器,在15.5GHz～16.5GHz工作频率范围内,输入端口的回波损耗大于19.5d B,输出端口的回波损耗大于21d B,插入损耗小于13.2d B,输入、输出端口之间的隔离度大于20d B,经过加工测试,结果证明了该设计具有可行性。最后,对Ku波段十六联装小型化相控阵T/R组件进行立体电路结构的布局。对十六收发通道的平面电路进行布局设计,将控制电路和电信号埋置于基带系统中,利用混合微波多层板技术实现十六层叠层电路结构,提高了整个十六联装T/R组件的集成度,使得该板厚度只有1.6mm。另外,将基带板作为微波电路的地,并采用单点接地的方式,提高了组件的可靠性;通过腔体设计,尤其是对十六收发通道的隔腔设计,有效避开了谐振点以及十六收发通道之间信号串扰。本设计实现了15.5GHz～16.5GHz范围内十六联装小型化相控阵T/R组件的集成化设计,最终整机尺寸为158.15mm×105mm×20mm。经加工测试,接收通道增益达到18d B以上（其中线损大约为1d B）,输入1d B压缩点为-27d Bm,发射饱和输出功率大于33d Bm,相位特性和接收、发射移相控制精度达到指标要求。
李萍[9]（2020）在《E频段集成接收组件的关键技术研究》文中提出随着国家对无线通信系统和雷达事业的高度重视,毫米波在其中的应用和优势也逐渐显露,毫米波小型化接收机逐渐成为人们关注和研究的对象。其中,如何实现小型化,平面化,集成化,低损耗是现如今和未来研究的主要方向。本文以小型化,平面化,集成化为目的,基于MCM（多芯片组件）技术实现了E频段小型化集成接收机的设计。本文首先通过查阅国内外毫米波收发组件的相关资料进行调研,通过对接收机不同结构的优缺点进行分析比较,确定接收机采用超外差结构。根据设计要求,对指标细化分解,并制定详细方案设计,包括变频方案,本振链路设计,接收链路设计,并通过在仿真软件ADS中建立链路模型对各项指标进行仿真预算。其次,对E频段小型化接收机的有源芯片进行选型,均采用小型化单片微波集成电路（MMIC）芯片;对无源电路均采用平面化设计,实现了集成化,小型化。无源电路主要包括:E频段内基于H面波导到微带的转换结构,实现了回波损耗S11优于-20d B;在射频输入端采用共面波导式CQ（四极子）型SIW（基片集成波导）滤波器,对镜像频率的抑制度达到40d Bc以上;在本振1链路上采用渐变式CQ型SIW滤波器,对二次谐波分量的抑制达到37d Bc;第一次下变频后采用发夹型滤波器,实现了回波损耗S11优于-13d B;在中频输出链路分别设计了交叉耦合型发夹滤波器和多层垂直折叠型交指滤波器,分别实现了带内回波损耗S11优于-14d B和-10d B,插入损耗S21优于-2d B,但是多层垂直折叠型交指滤波器的长度只有交叉耦合型发夹滤波器的1/4,实现了小型化设计。最后,根据电路设计,对接收机进行整体布局,完成接收电路集成化设计,供电电路板设计,以及腔体的三维模型建立,最终采用微组装技术对E频段小型化接收机进行装配并对接收机进行性能测试。接收机的尺寸为35.5mm?20mm?118mm。经过性能测试,整机增益达到50d B,噪声系数小于7d B,在73.4-75.4GHz范围内增益平坦度小于4d B,三阶交调值大于40d Bc,输出1d B压缩点大于10d Bm,满足指标要求。
陈新[10]（2019）在《8毫米T/R组件的设计与实现》文中认为本课题围绕防空武器系统中Ka波段跟踪雷达的研制需求为背景,针对目前跟踪雷达对毫米波收发组件提出的性能要求,着重解决毫米波T/R组件在研制和生产上尚未解决的技术难题,开展毫米波T/R组件的设计和研制工作,为今后毫米波雷达研制过程中T/R组件的设计与生产提供有力的技术支撑。8毫米T/R组件的研制基于MMIC芯片的混合集成电路技术,其主要目的是通过利用目前国内成熟的毫米波MMIC芯片,在此基础上利用微带线平面电路结构,将各功能芯片级联使用,最终实现毫米波T/R组件对信号的收发功能。本次课题的主要目的是:掌握毫米波电路设计的核心技术,了解毫米波电路的加工工艺流程,完成8毫米GaN收发组件的研制。本文主要工作内容如下:1、研究T/R组件的基本设计原理,针对各种设计方法的优缺点,寻找满足本课题要求的最佳设计方案,对课题中需要使用的MMIC芯片的设计原理和使用进行重点研究。2、T/R组件硬件电路设计,研究包括射频发射支路的设计、射频接收支路的设计、电源控制电路的设计、微带—波导过渡电路的设计等。重点探讨电路设计的理论依据和设计思路,并利用ADS、HFSS等软件对电路进行仿真验证。3、T/R组件的结构设计和微组装过程。T/R组件经过超声波清洗、导电胶粘接、芯片共晶烧结、金丝键合、盒体封焊等工艺后,完成设计工作,最后成品展示。4、8毫米T/R组件测试和功能验证。对不满足指标要求的各项指标,结合电路设计和装配工艺分析其问题原因,给出解决方案。
二、毫米波小型化T/R组件（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、毫米波小型化T/R组件（论文提纲范文）
（1）可重构射频微系统关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 国内外发展动态 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 论文的结构安排 |
| 第二章 相控阵雷达及其关键技术简介 |
| 2.1 相控阵雷达简介 |
| 2.1.1 相控阵雷达系统 |
| 2.1.2 多波束相控阵 |
| 2.2 砖块式和瓦片式 |
| 2.3 先进封装工艺简介 |
| 2.3.1 HTCC封装技术简介 |
| 2.3.2 Fanout封装技术简介 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 可重构开关矩阵方案设计 |
| 3.1 基于4×4开关矩阵可重构方案设计 |
| 3.2 开关矩阵电路方案设计 |
| 3.3 开关矩阵封装方案设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 可重构T/R组件方案设计 |
| 4.1 基于2×2T/R组件可重构方案设计 |
| 4.2 21-23GHzT/R组件电路方案设计 |
| 4.3 21-23GHzT/R组件封装方案设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 可重构射频微系统关键部件设计与仿真 |
| 5.1 微波平面传输结构 |
| 5.2 三维互连常见电磁结构研究 |
| 5.2.1 微带-带状-微带同层互连结构研究 |
| 5.2.2 带状线垂直互连结构研究 |
| 5.3 板级互连的研究 |
| 5.3.1 BGA封装板级互连研究 |
| 5.3.2 毛纽扣板级互连研究 |
| 5.4 开关矩阵电磁结构及控制程序设计 |
| 5.4.1 开关矩阵组件电磁结构研究 |
| 5.4.2 开关矩阵控制程序设计 |
| 5.5 T/R组件电磁结构及控制程序设计 |
| 5.5.1 T/R组件电磁结构研究 |
| 5.5.2 T/R组件控制程序设计 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 可重构射频微系统组件装配与测试 |
| 6.1 开关矩阵装配与测试 |
| 6.1.1 开关矩阵装配方案设计 |
| 6.1.2 开关矩阵测试与分析 |
| 6.2 T/R组件的装配与测试 |
| 6.2.1 幅相T/R组件装配方案设计 |
| 6.2.2 幅相T/R组件测试与分析 |
| 6.2.3 整体T/R组件装配方案设计 |
| 6.2.4 整体T/R组件测试与分析 |
| 第七章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（2）Ku波段硅基相控阵收发组件关键技术研究与芯片设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 T/R组件及其子模块电路芯片国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 课题研究内容与难点 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究难点 |
| 1.4 论文的结构安排 |
| 1.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第2章 幅相控制多功能芯片系统设计 |
| 2.1 有源相控阵收发系统结构分析 |
| 2.1.1 有源相控阵收发系统结构分析 |
| 2.1.2 收发组件芯片结构分析 |
| 2.2 幅相控制多功能芯片系统结构设计 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 无源器件研究与设计 |
| 3.1 电磁场仿真软件工具介绍 |
| 3.2 ADS路场混合仿真方法与工艺衬底建模 |
| 3.2.1 ADS路场混合仿真方法 |
| 3.2.2 工艺衬底建模 |
| 3.3 电感电磁场仿真方法研究与验证 |
| 3.4 无源巴伦研究与设计 |
| 3.4.1 巴伦主要指标 |
| 3.4.2 无源巴伦分析与设计 |
| 3.4.3 无源巴伦测试结果 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 Ku波段单刀双掷开关研究与设计 |
| 4.1 开关分类 |
| 4.2 开关主要性能指标 |
| 4.3 常见的单刀双掷开关电路结构 |
| 4.4 Ku波段单刀双掷开关分析与设计 |
| 4.4.1 Ku波段小线性度串并联单刀双掷开关电路设计 |
| 4.4.2 Ku波段小线性度串并联单刀双掷开关电路芯片测试结果 |
| 4.4.3 Ku波段线性度可调串并联单刀双掷开关电路设计 |
| 4.4.4 Ku波段线性度可调串并联单刀双掷开关电路芯片测试结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 Ku波段放大器电路研究与设计 |
| 5.1 放大器电路主要性能指标 |
| 5.2 SiGe HBT器件频率特性和噪声特性分析 |
| 5.2.1 SiGe HBT器件频率特性分析 |
| 5.2.2 SiGe HBT器件噪声特性分析 |
| 5.3 Ku波段SiGe HBT低噪声放大器电路研究与设计 |
| 5.3.1 SiGe HBT低噪声放大器电路分类 |
| 5.3.2 Ku波段SiGe HBT低噪声放大器电路分析与设计 |
| 5.3.3 Ku波段SiGe HBT低噪声放大器芯片测试结果 |
| 5.4 Ku波段功率放大器电路研究与设计 |
| 5.4.1 SiGe HBT功率放大器电路分类 |
| 5.4.2 Ku波段单级功率放大器电路分析与设计 |
| 5.4.3 Ku波段单级功率放大器芯片测试结果 |
| 5.4.4 Ku波段两级高增益功率放大器电路分析与设计 |
| 5.4.5 Ku波段两级高增益功率放大器芯片测试结果 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 Ku波段数控衰减器电路研究与设计 |
| 6.1 衰减器主要性能指标 |
| 6.2 衰减器电路结构分类 |
| 6.2.1 开关路径衰减器 |
| 6.2.2 分布式衰减器 |
| 6.2.3 开关T/Π型衰减器 |
| 6.2.4 X-型衰减器 |
| 6.3 Ku波段6 位数控衰减器分析与设计 |
| 6.4 Ku波段6 位数控衰减器芯片测试结果 |
| 6.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第7章 Ku波段数控移相器电路研究与设计 |
| 7.1 移相器主要性能指标 |
| 7.2 移相器电路结构分类 |
| 7.2.1 开关线型移相器 |
| 7.2.2 加载线型移相器 |
| 7.2.3 高通-低通式移相器 |
| 7.2.4 放大器型移相器 |
| 7.3 Ku波段6 位数控移相器分析与设计 |
| 7.3.1 输入巴伦的设计 |
| 7.3.2 两级RC多相滤波器的设计 |
| 7.3.3 正交全通滤波器的设计 |
| 7.3.4 模拟差分加法器的设计 |
| 7.3.5 数模转换电路的设计 |
| 7.3.6 输出缓冲和有源巴伦电路的设计 |
| 7.3.7 插损补偿放大器的设计 |
| 7.3.8 10-18 GHz6 位数控移相器的设计 |
| 7.3.9 6-18 GHz6 位数控移相器的设计 |
| 7.4 Ku波段6 位数控移相器芯片测试结果 |
| 7.4.1 10-18 GHz6 位数控移相器芯片测试结果 |
| 7.4.2 6-18 GHz6 位数控移相器芯片测试结果 |
| 7.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第8章 Ku波段幅相控制多功能芯片系统集成与测试 |
| 8.1 Ku波段幅相控制多功能芯片系统集成 |
| 8.2 系统集成芯片版图设计考虑 |
| 8.3 Ku波段幅相控制多功能芯片系统测试 |
| 8.3.1 接收链路测试结果 |
| 8.3.2 发射链路测试结果 |
| 8.3.3 Ku波段幅相控制多功能芯片系统测试结果 |
| 8.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第9章 总结与展望 |
| 9.1 总结 |
| 9.2 展望 |
| 攻读博士学位期间发表论文目录 |
| 攻读博士学位期间申请专利目录 |
| 致谢 |
（3）毫米波多波束T/R组件关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 国内外发展动态 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 本论文的结构安排 |
| 第二章 多波束雷达及其关键技术简介 |
| 2.1 相控阵雷达简介 |
| 2.1.1 有源相控阵和无源相控阵 |
| 2.1.2 多波束相控阵 |
| 2.2 砖块式和瓦片式 |
| 2.3 先进封装工艺简介 |
| 2.4 LTCC技术简介 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 毫米波多波束接收组件方案设计 |
| 3.1 系统设计要求及原理 |
| 3.2 系统方案设计 |
| 3.3 封装方案设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 毫米波多波束接收组件关键技术研究 |
| 4.1 微波平面传输结构 |
| 4.2 三维互连常见电磁结构研究 |
| 4.2.1 微带-带状-微带同层互连结构研究 |
| 4.2.2 带状线垂直互连结构研究 |
| 4.3 板级互连的研究 |
| 4.3.1 BGA封装板级互连研究 |
| 4.3.2 毛纽扣板级互连研究 |
| 4.4 八波束接收组件电磁结构研究 |
| 4.4.1 LTCC模块A电磁结构设计 |
| 4.4.2 LTCC模块B电磁结构设计 |
| 4.4.3 LTCC模块B系统整体电磁设计 |
| 4.5 功分/合成器模块研究 |
| 4.5.1 Wilkinson功分器设计原理 |
| 4.5.2 二路/八路Wilkinson功分器的设计和仿真 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 毫米波多波束接收组件测试与分析 |
| 5.1 装配方案和测试方案的设计 |
| 5.2 八波束系统的测试和分析 |
| 5.2.1 LTCC基板B的测试 |
| 5.2.2 LTCC基板A的测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（4）多通道T/R组件关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.2.1 国内研究进展 |
| 1.2.2 国外研究进展 |
| 1.3 本文主要内容 |
| 第二章 T/R组件相关理论及小型化设计 |
| 2.1 微波传输线理论 |
| 2.1.1 微带线和带状线 |
| 2.1.2 同轴线 |
| 2.2 Wilkinson功率分配器理论 |
| 2.3 T/R组件小型化技术 |
| 2.4 多层板加工工艺流程及规范 |
| 2.4.1 多层板加工流程 |
| 2.4.2 多层板加工规范 |
| 2.5 微波多层板技术与LTCC技术的对比 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 Ku波段24 通道T/R组件方案与无源电路研究 |
| 3.1 Ku波段24 通道T/R组件设计指标 |
| 3.2 Ku波段24 通道T/R组件总体方案 |
| 3.2.1 发射支路链路设计 |
| 3.2.2 接收支路链路设计 |
| 3.3 Ku波段24 通道多功能芯片指标分析 |
| 3.4 Ku波段24 通道微带线功率分配/合成网络设计 |
| 3.5 Ku波段24 通道T/R组件互联结构研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 Ku波段24 通道T/R组件设计与测试 |
| 4.1 Ku波段24 通道T/R组件叠层设计 |
| 4.2 Ku波段24 通道T/R组件布局设计 |
| 4.3 Ku波段24 通道T/R组件控制电路设计 |
| 4.4 Ku波段24 通道T/R版图设计 |
| 4.5 热仿真分析 |
| 4.6 加工及测试 |
| 4.6.1 引线键合微组装工艺 |
| 4.6.2 装配流程 |
| 4.6.3 组件测试 |
| 4.6.3.1 多功能芯片测试验证 |
| 4.6.3.2 接收支路测试 |
| 4.6.3.3 发射支路测试 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（5）X波段天线微系统关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 国内外发展动态 |
| 1.3 本论文的结构安排 |
| 第二章 有源相控阵关键技术研究 |
| 2.1 相控阵天线原理 |
| 2.2 有源相控阵收发组件 |
| 2.3 多芯片组件技术 |
| 2.3.1 MCM技术 |
| 2.3.2 LTCC和 HTCC工艺介绍 |
| 2.3.3 无源结构研究 |
| 2.4 微带贴片天线 |
| 2.4.1 辐射原理 |
| 2.4.2 馈电方式 |
| 2.4.3 天线电性能参数 |
| 2.5 校准网络 |
| 2.6 定向耦合器 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 X波段单通道天线微系统 |
| 3.1 第一版单通道天线微系统 |
| 3.1.1 主要技术指标 |
| 3.1.2 LTCC贴片天线设计 |
| 3.1.2.1 仿真设计 |
| 3.1.2.2 实验研究 |
| 3.1.3 平行带状线耦合器设计 |
| 3.1.4 单通道T/R组件设计 |
| 3.1.4.1 基板材料选择 |
| 3.1.4.2 芯片选择 |
| 3.1.4.3 T/R组件收发链路设计 |
| 3.1.4.4 ALN微波互连结构 |
| 3.1.4.5 热设计 |
| 3.1.4.6 接口和布板设计 |
| 3.1.4.7 实验研究 |
| 3.1.5 第一版单通道天线微系统整体结构 |
| 3.2 第二版单通道天线微系统 |
| 3.2.1 LTCC微波互连结构 |
| 3.2.2 热设计 |
| 3.2.3 第二版单通道天线微系统整体结构 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 X波段四通道天线微系统 |
| 4.1 第一版四通道天线微系统 |
| 4.1.1 2×2 LTCC贴片天线阵设计 |
| 4.1.1.1 仿真设计 |
| 4.1.1.2 实验研究 |
| 4.1.2 四通道T/R组件设计 |
| 4.1.2.1 芯片选择 |
| 4.1.2.2 ALN微波互连结构 |
| 4.1.2.3 热设计 |
| 4.1.2.4 接口和布板设计 |
| 4.1.3 第一版四通道天线微系统整体结构 |
| 4.2 第二版四通道天线微系统 |
| 4.2.1 LTCC微波互连结构 |
| 4.2.2 热设计 |
| 4.2.3 第二版四通道天线微系统整体结构 |
| 4.3 第三版四通道T/R组件设计 |
| 4.3.1 ALN微波互连结构 |
| 4.3.2 热设计 |
| 4.3.3 第三版四通道T/R组件整体结构 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 全文总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（6）W波段T/R模块低插损垂直互连结构研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 垂直互连技术的研究背景 |
| 1.2 垂直互连技术研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 本文章节安排 |
| 第2章 垂直互连结构基础理论概述 |
| 2.1 垂直互连结构常用传输线理论 |
| 2.1.1 类同轴结构 |
| 2.1.2 平面传输线 |
| 2.1.3 基片集成波导(SIW) |
| 2.2 垂直互连结构原理 |
| 2.2.1 模式的耦合理论 |
| 2.2.2 阻抗匹配原理 |
| 2.2.3 过孔结构分析 |
| 2.2.4 二端口网络的散射参量 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 垂直互连结构方案设计 |
| 3.1 设计方案的需求分析 |
| 3.1.1 需求分析 |
| 3.1.2 指标要求 |
| 3.1.3 基板选取 |
| 3.2 结构框架的设计方案 |
| 3.2.2 平面传输线垂直互连结构设计方案 |
| 3.2.3 SIW-SIW垂直互连结构设计方案 |
| 3.3 结构设计流程 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 平面传输线垂直互连结构设计 |
| 4.1 微带线-微带线垂直互连结构建模及分析 |
| 4.1.1 模型建立 |
| 4.1.2 影响因素分析 |
| 4.2 微带线-微带线垂直互连结构设计 |
| 4.2.1 两层电路板垂直互连结构 |
| 4.2.2 四层电路板垂直互连结构 |
| 4.2.3 六层电路板垂直互连结构 |
| 4.3 带状线-带状线垂直互连结构建模及设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 SIW-SIW垂直互连结构设计 |
| 5.1 SIW-SIW垂直互连结构建模及分析 |
| 5.1.1 平面SIW结构模型建立 |
| 5.1.2 直接开缝耦合SIW-SIW垂直互连结构建模及分析 |
| 5.1.3 加通孔耦合SIW-SIW垂直互连结构建模及分析 |
| 5.2 SIW-SIW垂直互连结构设计 |
| 5.2.1 四层电路板直接开缝耦合SIW-SIW垂直互连结构设计 |
| 5.2.2 四层电路板加通孔耦合SIW-SIW垂直互连结构设计 |
| 5.2.3 六层电路板加通孔耦合SIW-SIW垂直互连结构设计 |
| 5.3 平面传输线与SIW两类垂直互连结构对比 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 测试件设计与仿真分析 |
| 6.1 测试件结构设计 |
| 6.1.1 测试件结构方案设计 |
| 6.1.2 波导微带探针过渡结构设计 |
| 6.1.3 微带-SIW过渡结构设计 |
| 6.2 测试件仿真与版图制作 |
| 6.2.1 测试件设计与仿真 |
| 6.2.2 版图制作与测试环境 |
| 6.3 测试件实测与仿真分析 |
| 6.3.1 平面SIW过渡结构实测与仿真分析 |
| 6.3.2 测试件加工和装配工艺对插损的影响分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得学术成果 |
（7）基于W波段SOC射频芯片的T/R组件系统设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容 |
| 1.4 本文的章节安排 |
| 第2章 T/R组件系统集成封装概述和性能指标 |
| 2.1 T/R组件组成原理 |
| 2.2 T/R组件集成封装概述 |
| 2.3 T/R组件的技术指标概述 |
| 2.3.1 噪声系数 |
| 2.3.2 频率和带宽 |
| 2.3.3 接收链路的动态范围 |
| 2.3.4 增益 |
| 2.3.5 灵敏度 |
| 2.3.6 S参数 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 W波段T/R组件方案设计 |
| 3.1 T/R组件方案指标 |
| 3.2 组件的总体设计方案 |
| 3.2.1 T/R组件的整体设计方案 |
| 3.2.2 T/R组件各环节预期研究 |
| 3.2.3 电磁兼容性问题 |
| 3.3 PCB电路板的层间结构 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 T/R组件射频互联结构设计 |
| 4.1 射频基板板材的选择和多个损耗影响分析 |
| 4.2 波导-微带探针仿真设计 |
| 4.2.1 波导-微带传输机理 |
| 4.2.2 双层板波导探针结构设计 |
| 4.2.3 六层板波导微带探针结构设计 |
| 4.2.4 六层板波导微带测试件设计 |
| 4.3 六层PCB垂直过渡仿真设计 |
| 4.3.1 垂直过渡结构仿真设计 |
| 4.3.2 垂直过渡测试件设计 |
| 4.4 BGA至微带线的过渡仿真 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 T/R组件仿真测试与分析 |
| 5.1 接收通道仿真测试与分析 |
| 5.2 发射通道仿真测试与分析 |
| 5.3 本章小节 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得学术成果 |
（8）Ku波段集成相控阵T/R组件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究的背景及意义 |
| 1.2 相控阵T/R组件的发展动态 |
| 1.2.1 国外发展动态 |
| 1.2.2 国内发展动态 |
| 1.3 本文的主要工作 |
| 2 传输线理论及小型化技术 |
| 2.1 传输线理论 |
| 2.1.1 微带线 |
| 2.1.2 带状线 |
| 2.1.3 同轴线 |
| 2.1.4 微带的不连续性 |
| 2.2 T/R组件的小型化技术 |
| 2.2.1 MCM的种类 |
| 2.2.2 多层板与LTCC的比较 |
| 2.2.3 T/R组件的工艺实现 |
| 3 Ku波段集成相控阵T/R组件的方案设计 |
| 3.1 T/R组件的基本概念 |
| 3.1.1 T/R组件的经典结构 |
| 3.1.2 T/R组件的主要参数 |
| 3.2 Ku波段集成相控阵T/R组件的技术指标 |
| 3.3 Ku波段集成相控阵T/R组件的系统方案设计 |
| 3.3.1 公共支路设计 |
| 3.3.2 接收支路设计 |
| 3.3.3 发射支路设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 Ku波段集成相控阵T/R组件的电路研究与设计 |
| 4.1 有源电路的选型分析 |
| 4.1.1 多功能芯片 |
| 4.1.2 环形器 |
| 4.1.3 限幅器 |
| 4.1.4 低噪声放大器 |
| 4.1.5 功率放大器 |
| 4.1.6 耦合检波器 |
| 4.2 无源电路的研究与设计 |
| 4.2.1 T/R组件的多层板及垂直结构设计 |
| 4.2.2 波导-微带过渡结构的分析与设计 |
| 4.2.3 威尔金森功分器的研究 |
| 4.3 热管理技术 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 Ku波段集成相控阵T/R组件的实现与测试 |
| 5.1 T/R组件的版图及结构设计 |
| 5.1.1 射频电路版图设计 |
| 5.1.2 控制电路和电源部分的实现 |
| 5.1.3 工艺实现 |
| 5.1.4 腔体的设计与实现 |
| 5.2 Ku波段集成相控阵T/R组件的整机测试 |
| 5.2.1 十六路接收通道增益及增益平坦度测试 |
| 5.2.2 相位特性测试 |
| 5.2.3 噪声系数测试 |
| 5.2.4 输入1dB压缩点测试 |
| 5.2.5 十六路接收移相控制精度测试 |
| 5.2.6 十六路发射移相控制精度测试 |
| 5.2.7 发射通道输出功率测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（9）E频段集成接收组件的关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 毫米波的特点和应用 |
| 1.1.2 毫米波收发组件关键技术 |
| 1.2 毫米波收发组件研究概况 |
| 1.2.1 国内研究概况 |
| 1.2.2 国外研究概况 |
| 1.3 论文结构 |
| 2 无线接收机的基本理论 |
| 2.1 无线接收机的基本结构 |
| 2.1.1 超外差接收机 |
| 2.1.2 零中频接收机 |
| 2.1.3 镜像频率抑制方案 |
| 2.2 接收机主要参数 |
| 2.2.1 噪声系数 |
| 2.2.2 线性度 |
| 2.2.3 镜像抑制 |
| 3 E频段小型化平面接收机系统方案 |
| 3.1 E频段小型化平面接收机的指标和设计原则 |
| 3.1.1 接收通道指标要求 |
| 3.1.2 接收通道设计原则 |
| 3.2 E频段小型化平面接收机系统方案设计 |
| 3.2.1 接收通道变频方案设计 |
| 3.2.2 接收通道设计框架 |
| 3.2.3 接收通道本振链路的设计 |
| 3.2.4 接收通道链路的设计 |
| 3.2.5 接收通道整体链路系统仿真 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 E频段小型化平面接收机电路设计 |
| 4.1 E频段小型化平面接收机有源电路设计 |
| 4.1.1 放大器 |
| 4.1.2 本振倍频器 |
| 4.1.3 混频器 |
| 4.1.4 数控衰减器 |
| 4.2 E频段小型化平面接收机无源电路设计 |
| 4.2.1 基于H面波导-微带转换 |
| 4.2.2 滤波器相关理论 |
| 4.2.3 CQ型SIW滤波器设计 |
| 4.2.4 发夹型滤波器 |
| 4.2.5 多层垂直折叠型交指滤波器 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 E频段小型化接收组件电路设计与测试 |
| 5.1 E频段小型化接收组件电路设计 |
| 5.1.1 微组装技术金丝键合工艺 |
| 5.1.2 接收电路版图设计 |
| 5.1.3 接收电路电源板设计 |
| 5.1.4 接收电路腔体结构设计 |
| 5.2 E频段小型化接收组件整机测试 |
| 5.2.1 接收机增益及平坦度测试 |
| 5.2.2 接收机1d B压缩点测试 |
| 5.2.3 接收机噪声系数测试 |
| 5.2.4 接收机三阶交调测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（10）8毫米T/R组件的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 背景 |
| 1.2 国内外研究动态 |
| 1.3 当前T/R组件的发展 |
| 1.4 课题研究目标及主要研究内容 |
| 第二章 8毫米T/R组件的设计方案 |
| 2.1 T/R组件的工作原理 |
| 2.1.1 收发支路分离结构 |
| 2.1.2 收发共用移相器结构 |
| 2.1.3 Common Leg结构 |
| 2.2 T/R 组件的主要技术参数 |
| 2.2.1 发射输出功率 |
| 2.2.2 杂散抑制度 |
| 2.2.3 接收噪声系数 |
| 2.2.4 接收增益 |
| 2.2.5 带内增益平坦度 |
| 2.2.6 接收P-1 输出功率 |
| 2.2.7 衰减控制 |
| 2.2.8 移相控制 |
| 2.3 T/R组件设计方案 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 射频有源电路的设计与仿真 |
| 3.1 发射支路设计与仿真 |
| 3.1.1 移相器 |
| 3.1.2 放大链路放大器 |
| 3.1.3 发射支路级联仿真 |
| 3.2 接收支路设计与仿真 |
| 3.2.1 限幅器 |
| 3.2.2 低噪声放大器 |
| 3.2.3 接收支路链路仿真 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 射频无源电路与电源控制电路设计 |
| 4.1 微带传输线 |
| 4.2 微带—波导过渡设计 |
| 4.2.1 波导接口设计分析 |
| 4.2.2 电路仿真及样件测试 |
| 4.3 电源控制电路的设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结构设计及组件实现 |
| 5.1 结构设计 |
| 5.2 热设计 |
| 5.3 微组装过程及组件实现 |
| 5.4 电磁兼容性设计 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 测试结果及分析 |
| 6.1 组件测试结果 |
| 6.2 研制问题分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 结束语 |
| 7.1 研究工作总结 |
| 7.2 下一步研究方向 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
四、毫米波小型化T/R组件（论文参考文献）
- [1]可重构射频微系统关键技术研究[D]. 吴阳阳. 电子科技大学, 2021(01)
- [2]Ku波段硅基相控阵收发组件关键技术研究与芯片设计[D]. 罗磊. 东南大学, 2021(02)
- [3]毫米波多波束T/R组件关键技术研究[D]. 効婧涵. 电子科技大学, 2020(07)
- [4]多通道T/R组件关键技术研究[D]. 张皓. 电子科技大学, 2020(08)
- [5]X波段天线微系统关键技术研究[D]. 张诚梓. 电子科技大学, 2020(08)
- [6]W波段T/R模块低插损垂直互连结构研究与设计[D]. 魏学. 成都理工大学, 2020(04)
- [7]基于W波段SOC射频芯片的T/R组件系统设计[D]. 盛浩轩. 成都理工大学, 2020(04)
- [8]Ku波段集成相控阵T/R组件研究[D]. 李颖. 南京理工大学, 2020(01)
- [9]E频段集成接收组件的关键技术研究[D]. 李萍. 南京理工大学, 2020(01)
- [10]8毫米T/R组件的设计与实现[D]. 陈新. 电子科技大学, 2019(04)